Samsung Ra Mắt Chip V-NAND 3D 1TB
Samsung Electronics đã phát triển và cho ra mắt chip V-NAND 3D 1TB một loại chip V-NAND với tốc độ 1 terabit (Tb) sẽ được sử dụng cho các sản phẩm thương mại ra mắt vào năm tới.
Tại Hội nghị về Bộ nhớ Flash ở San Francisco, Hoa Kỳ, hãng công nghệ đến từ Hàn Quốc – Samsung cho rằng sẽ loại bỏ các loại ổ cứng 16Tb bằng một gói V-NAND riêng lẻ với dung lượng bộ nhớ 2 TB.
Việc sử dụng các gói sẽ làm tăng đáng kể dung lượng bộ nhớ của các ổ đĩa trạng thái rắn (SDD). Samsung cũng công bố ổ SSD theo chuẩn kết nối NGSFF (Next Generation Small Form Factor) của thế hệ tiếp theo để thay thế cho tiêu chuẩn SSD M.2 hiện tại.
Công ty này cũng đang thử nghiệm một loại ổ SSD 16 TB theo chuẩn NGSFF. Ước tính kích thước của loại ổ này là 30.5mm x 110mm x 4.38mm cho phép dung lượng bộ nhớ của 1U tăng lên gấp 4 lần khi áp dụng chuẩn M.2 hoặc NGFF. Điều này cho phép các trung tâm dữ liệu tiết kiệm được nhiều không gian hơn và quy mô trở nên gọn nhẹ hơn.
Samsung đã đưa ra một ví dụ về một hệ thống máy chủ tham chiếu cung cấp 576TB trong một rack 1U, sử dụng 36 ổ SSD loại 16TB theo chuẩn NGSFF. Khi sử dụng kệ 2U sẽ đạt được công suất petabyte.
Loại ổ SSD theo chuẩn NGSFF sẽ bắt đầu sản xuất vào quý IV năm nay và hoàn thiện tiêu chuẩn JEDEC trong quý I/2018 để đưa ra thị trường.
Samsung còn giới thiệu SZ985, một ổ SSD sử dụng công nghệ Z-SSD cho các trung tâm dữ liệu và các hệ thống doanh nghiệp với các tác vụ nặng, dữ liệu lớn, chẳng hạn như phân tích số liệu thời gian thực và bộ nhớ đệm máy chủ hiệu năng cao. Loại ổ này có thời gian đọc trễ là 15 microseconds, bằng khoảng 1/7 độ trễ của ổ SSD NVME.
Bên cạnh đó, nhà sản xuất còn nhấn mạnh, về mức độ ứng dụng, ổ SSD của Z-SSD có thể làm giảm thời gian phản ứng của hệ thống lên đến 12 lần, so với sử dụng ổ SSD NVMe.
Cũng tại sự kiện, Samsung cũng giới thiệu một công nghệ mới gọi là Key Value SSD, không giống như các quy trình thông thường biến dữ liệu thành các khối, gán một chìa khóa cho các vị trí dữ liệu cụ thể, công nghệ của Samsung cho phép trỏ trực tiếp đến một vị trí dữ liệu, giúp làm giảm các bước thừa, dẫn đến nhập / xuất nhanh hơn và góp phần làm giảm chi phí.
Vào tháng 6 vừa qua, ngoài việc cho Ra Mắt Chip V-NAND 3D 1TB, Samsung còn công bố mở rộng khả năng cung cấp 64-bit, 256-Gigabit V-NAND.
Samsung đang được hưởng lợi lớn từ các sản phẩm chip DRAM và NAND của mình, những sản phẩm này góp phần tăng gấp 03 lần lợi nhuận kinh doanh sản phẩm bán dẫn của tập đoàn này trong quý 2 năm nay.
Bạn có thể tham khảo các SSD Samsung sử dụng công nghệ V-NAND 3D tại mục SSD Samsung của Lagihitech.
Trích dẫn nguồn Internet.